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BDX34CBS

更新时间： 2024-11-24 18:33:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
61页 360K
描述
10A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN

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BDX34CBS 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.75
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：10 A
集电极-发射极最大电压：100 V配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：750JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：3 MHz
Base Number Matches：1

BDX34CBS 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
. . . designed for general purpose and low speed switching applications.  
•
•
High DC Current Gain — h = 2500 (typ.) at I = 4.0  
FE C  
Collector–Emitter Sustaining Voltage at 100 mAdc  
V
V
= 80 Vdc (min.) — BDX33B, 34B  
= 100 Vdc (min.) — BDX33C, 34C  
CEO(sus)  
CEO(sus)  
•
Low Collector–Emitter Saturation Voltage  
= 2.5 Vdc (max.) at I = 3.0 Adc — BDX33B, 33C/34B, 34C  
Monolithic Construction with Build–In Base–Emitter Shunt resistors  
TO–220AB Compact Package  
*Motorola Preferred Device  
V
CE(sat)  
C
•
•
DARLINGTON  
10 AMPERE  
COMPLEMENTARY  
SILICON  
MAXIMUM RATINGS  
POWER TRANSISTORS  
80–100 VOLTS  
70 WATTS  
BDX33B  
BDX34B  
BDX33C  
BDX34C  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
V
CEO  
80  
80  
100  
100  
V
CB  
EB  
V
5.0  
Collector Current — Continuous  
Peak  
I
C
10  
15  
Base Current  
I
B
0.25  
Adc  
Total Device Dissipation  
P
D
@ T = 25 C  
70  
0.56  
Watts  
W/ C  
C
Derate above 25 C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–65 to +150  
C
J
stg  
CASE 221A–06  
TO–220AB  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
1.78  
C/W  
θJC  
80  
60  
40  
20  
0
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
140 160  
T , CASE TEMPERATURE (°C)  
C
Figure 1. Power Derating  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 7  
3–217  
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data  
1234567...61

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与BDX34CBS相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BDX34CBU ONSEMI

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 		10A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
BDX34CBV ONSEMI

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 		10A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
BDX34CC MOTOROLA

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 		10A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BDX34CD1 MOTOROLA

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 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plas
BDX34C-DR6259 RENESAS

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