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BDX54CTU PDF预览

BDX54CTU

更新时间： 2024-02-21 06:25:48
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 41K
描述
PNP Epitaxial Silicon Transistor, 3LD, TO220, JEDEC, MOLDED, 1000/RAIL

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BDX54CTU 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：8.04
最大集电极电流 (IC)：8 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE最小直流电流增益 (hFE)：750
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：60 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：20 MHz
Base Number Matches：1

BDX54CTU 数据手册

 浏览型号BDX54CTU的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BDX54CTU的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BDX54CTU的Datasheet PDF文件第4页 
BDX54/A/B/C  
Hammer Drivers, Audio Amplifiers Applications  
Power Liner and Switching Applications  
•
•
Power Darlington TR  
Complement to BDX53, BDX53A, BDX53B and BDX53C respectively  
TO-220  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
Collector-Base Voltage  
: BDX54  
- 45  
- 60  
- 80  
V
V
V
V
CBO  
: BDX54A  
: BDX54B  
: BDX54C  
- 100  
V
Collector-Emitter Voltage : BDX54  
- 45  
- 60  
- 80  
V
V
V
V
CEO  
: BDX54A  
: BDX54B  
: BDX54C  
- 100  
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
*Collector Current (Pulse)  
Base Current  
- 5  
- 8  
V
A
EBO  
I
I
I
C
- 12  
A
CP  
B
- 0.2  
60  
A
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
W
°C  
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
V
(sus)  
* Collector-Emitter Sustaining Voltage  
CEO  
: BDX54  
I
= - 100mA, I = 0  
- 45  
- 60  
- 80  
V
V
V
V
C
B
: BDX54A  
: BDX54B  
: BDX54C  
- 100  
I
I
Collector Cut-off Current : BDX54  
V
V
V
V
= - 45V, I = 0  
- 200  
- 200  
- 200  
- 200  
µA  
µA  
µA  
µA  
CBO  
CEO  
EBO  
CB  
CB  
CB  
CB  
E
: BDX54A  
: BDX54B  
: BDX54C  
= - 60V, I = 0  
E
= - 80V, I = 0  
E
= - 100V, I = 0  
E
Collector Cut-off Current : BDX54  
V
V
V
V
= - 22V, I = 0  
- 500  
- 500  
- 500  
- 500  
µA  
µA  
µA  
µA  
CE  
CE  
CE  
CE  
B
: BDX54A  
: BDX54B  
: BDX54C  
= - 30V, I = 0  
B
= - 40V, I = 0  
B
= - 50V, I = 0  
B
I
Emitter Cut-off Current  
V
V
= - 5V, I = 0  
- 2  
mA  
EB  
CE  
C
h
* DC Current Gain  
= - 3V, I = - 3A  
750  
FE  
C
V
V
V
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter Saturation Voltage  
* Parallel Diode Forward Voltage  
I
I
= - 3A, I = - 12mA  
- 2  
- 2.5  
- 2.5  
V
V
CE  
BE  
F
C
C
B
(sat)  
= - 3A, I = - 12mA  
B
I = - 3A  
I = - 8A  
- 1.8  
- 2.5  
V
V
F
F
* Pulse Test: PW=300µs, duty Cycle =1.5% Pulsed  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
1234

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BDX54CTU 替代型号

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