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BDX53TU PDF预览

BDX53TU

更新时间： 2024-11-01 21:08:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 40K
描述
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN

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BDX53TU 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.68最大集电极电流 (IC)：8 A
集电极-发射极最大电压：45 V配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE
最小直流电流增益 (hFE)：750JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：60 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：20 MHzBase Number Matches：1

BDX53TU 数据手册

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BDX53/A/B/C  
Hammer Drivers, Audio Amplifiers Applications  
Power Liner and Switching Applications  
•
•
Power Darlington TR  
Complement to BDX54, BDX54A, BDX54B and BDX54C respectively  
TO-220  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
Collector-Base Voltage : BDX53  
45  
60  
80  
V
V
V
V
CBO  
: BDX53A  
: BDX53B  
: BDX53C  
100  
V
Collector-Emitter Voltage : BDX53  
45  
60  
80  
V
V
V
V
CEO  
: BDX53A  
: BDX53B  
: BDX53C  
100  
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
*Collector Current (Pulse)  
Base Current  
5
V
A
EBO  
I
I
I
8
12  
C
A
CP  
B
0.2  
A
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
60  
W
°C  
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
V
(sus)  
* Collector-Emitter Sustaining Voltage  
CEO  
: BDX53  
I
= 100mA, I = 0  
45  
60  
80  
V
V
V
V
C
B
: BDX53A  
: BDX53B  
: BDX53C  
100  
I
I
Collector Cut-off Current : BDX53  
V
V
V
V
= 45V, I = 0  
200  
200  
200  
200  
µA  
µA  
µA  
µA  
CBO  
CEO  
EBO  
CB  
CB  
CB  
CB  
E
: BDX53A  
: BDX53B  
: BDX53C  
= 60V, I = 0  
E
= 80V, I = 0  
E
= 100V, I = 0  
E
Collector Cut-off Current : BDX53  
V
V
V
V
= 22V, I = 0  
500  
500  
500  
500  
µA  
µA  
µA  
µA  
CE  
CE  
CE  
CE  
B
: BDX53A  
: BDX53B  
: BDX53C  
= 30V, I = 0  
B
= 40V, I = 0  
B
= 50V, I = 0  
B
I
Emitter Cut-off Current  
V
V
= 5V, I = 0  
2
mA  
EB  
CE  
C
h
* DC Current Gain  
= 3V, I = 3A  
750  
FE  
C
V
V
V
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter Saturation Voltage  
* Parallel Diode Forward Voltage  
I
I
= 3A, I = 12mA  
2
2.5  
2.5  
V
V
CE  
BE  
F
C
C
B
(sat)  
= 3A, I = 12mA  
B
I = 3A  
1.8  
2.5  
V
V
F
I = 8A  
F
* Pulse Test: PW=300µs, duty Cycle =1.5% Pulsed  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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