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BDX54

更新时间： 2024-02-24 05:01:08

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SAVANTIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	93K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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BDX54 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	TO-220, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.66	最大集电极电流 (IC)：	8 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE
最小直流电流增益 (hFE)：	750	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	60 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	20 MHz	Base Number Matches：	1

BDX54 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

BDX54/A/B/C

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·High DC current gain

·DARLINGTON

·Complement to type BDX53/A/B/C

APPLICATIONS

·Power linear and switching applications

·Hammer drivers,audio amplifiers

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25ꢀ )

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

-45

UNIT

BDX54

BDX54A

BDX54B

BDX54C

BDX54

-60

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

-80

-100

-45

BDX54A

BDX54B

BDX54C

-60

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

-80

-100

-5

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-base voltage

Collector current-DC

Collector current-Pulse

Base current

Open collector

ꢀ

-8

-12

-0.2

P_C

T_j

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25ꢀ

150

-65~150

T_stg

ꢀ

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance junction to case

2.08

ꢀ/W

12 3

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