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BDX54AAF

更新时间： 2024-02-06 20:45:29
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 172K
描述
8 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB

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BDX54AAF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.66最大集电极电流 (IC)：8 A
集电极-发射极最大电压：45 V配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE
最小直流电流增益 (hFE)：750JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：60 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：20 MHzBase Number Matches：1

BDX54AAF 数据手册

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by BDX53B/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
. . . designed for general–purpose amplifier and low–speed switching applications.  
•
High DC Current Gain —  
= 2500 (Typ) @ I = 4.0 Adc  
Collector Emitter Sustaining Voltage — @ 100 mAdc  
h
FE  
C
•
V
V
= 80 Vdc (Min) — BDX53B, 54B  
= 100 Vdc (Min) — BDX53C, 54C  
CEO(sus)  
CEO(sus)  
•
Low Collector–Emitter Saturation Voltage —  
V
V
= 2.0 Vdc (Max) @ I = 3.0 Adc  
CE(sat)  
CE(sat)  
C
DARLINGTON  
8 AMPERE  
COMPLEMENTARY  
SILICON  
= 4.0 Vdc (Max) @ I = 5.0 Adc  
C
•
•
Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Shunt Resistors  
TO–220AB Compact Package  
POWER TRANSISTORS  
80–100 VOLTS  
65 WATTS  
MAXIMUM RATINGS  
BDX53B  
BDX54B  
BDX53C  
BDX54C  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
V
CEO  
80  
80  
100  
100  
V
CB  
V
EB  
5.0  
Collector Current — Continuous  
Peak  
I
C
8.0  
12  
Base Current  
I
B
0.2  
Adc  
Total Device Dissipation @ T = 25 C  
C
Derate above 25 C  
P
D
60  
0.48  
Watts  
W/ C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
stg  
–65 to +150  
C
J
CASE 221A–06  
TO–220AB  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
70  
Unit  
C/W  
C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
θJA  
70  
θJC  
T
T
C
A
4.0 80  
3.0 60  
T
C
2.0 40  
1.0 20  
0
T
A
0
20  
40  
60  
80  
100  
C)  
120  
140  
160  
T, TEMPERATURE (  
°
Figure 1. Power Derating  
REV 7  
Motorola, Inc. 1995
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BDX54AAJ MOTOROLA

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 		Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
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