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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.12 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 10 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 750 |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 70 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 70 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 3 MHz | VCEsat-Max： | 2.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BDX33B/D | ETC |
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Darlington Complementary Silicon Power Transistors |
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| BDX33B_06 | ONSEMI |
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Darlington Complementary Silicon Power Transistors |
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| BDX33B_07 | ONSEMI |
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Darlington Complementary Silicon Power Transistors |
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| BDX33B16 | MOTOROLA |
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10A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| BDX33B16A | MOTOROLA |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| BDX33B-6200 | RENESAS |
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10A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| BDX33B-6203 | RENESAS |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| BDX33B-6226 | RENESAS |
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10A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| BDX33B-6255 | RENESAS |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| BDX33B-6258 | RENESAS |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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