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BDW47BA

更新时间： 2024-01-30 04:44:29
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
62页 381K
描述
TRANSISTOR 15 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN, BIP General Purpose Power

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BDW47BA 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.79
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：15 A
集电极-发射极最大电压：100 V配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：250JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：4 MHz
Base Number Matches：1

BDW47BA 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
. . . designed for general purpose and low speed switching applications.  
•
•
High DC Current Gain – h  
= 2500 (typ.) @ I = 5.0 Adc.  
C
FE  
Collector Emitter Sustaining Voltage @ 30 mAdc:  
*Motorola Preferred Device  
V
V
= 80 Vdc (min.) — BDW46  
= 100 Vdc (min.) — BDW42/BDW47  
CEO(sus)  
CEO(sus)  
DARLINGTON  
15 AMPERE  
COMPLEMENTARY  
SILICON  
POWER TRANSISTORS  
80–100 VOLTS  
85 WATTS  
•
Low Collector Emitter Saturation Voltage  
V
V
= 2.0 Vdc (max.) @ I = 5.0 Adc  
= 3.0 Vdc (max.) @ I = 10.0 Adc  
CE(sat)  
CE(sat)  
C
C
•
•
Monolithic Construction with Built–In Base Emitter Shunt resistors  
TO–220AB Compact Package  
MAXIMUM RATINGS  
BDW42  
BDW47  
Rating  
Symbol  
BDW46  
80  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Collector Current — Continuous  
Base Current  
V
CEO  
100  
100  
V
CB  
80  
V
EB  
5.0  
15  
I
C
I
B
0.5  
Total Device Dissipation  
P
D
@ T = 25 C  
85  
0.68  
Watts  
W/ C  
C
Derate above 25 C  
CASE 221A–06  
TO–220AB  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
C
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
1.47  
C/W  
θJC  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
T , CASE TEMPERATURE (°C)  
C
Figure 1. Power Temperature Derating Curve  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 7  
3–212  
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data  
1234567...62

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与BDW47BA相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BDW47BC ONSEMI

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 		15A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
BDW47BD ONSEMI

获取价格

 		15A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
BDW47BG ONSEMI

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 		15A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
BDW47BS ONSEMI

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 		暂无描述
BDW47BU ONSEMI

获取价格

 		15A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
BDW47BV ONSEMI

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 		15A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
BDW47C MOTOROLA

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plas
BDW47D1 MOTOROLA

获取价格

 		15A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BDW47DW ONSEMI

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 		15A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
BDW47G ONSEMI

获取价格

 		Darlington Complementary Silicon Power Transistors

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