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BD789

更新时间： 2024-02-05 02:16:05
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摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
6页 179K
描述
Complementary Plastic Silicon Power Transistors

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BD789 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-225AA包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.91
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：4 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：5JEDEC-95代码：TO-225AA
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：225
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：40 MHz
Base Number Matches：1

BD789 数据手册

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1.0  
0.7  
0.5  
D = 0.5  
0.2  
0.3  
0.2  
0.1  
0.05  
P
(pk)  
0.1  
0.07  
0.05  
R
R
= r(t) R  
θ
θ
θ
JC(t)  
= 8.34  
JC  
C/W MAX  
°
JC  
D CURVES APPLY FOR POWER  
PULSE TRAIN SHOWN  
READ TIME AT t  
0.02  
0.01  
t
1
0.03  
0.02  
t
2
1
(pk)  
0 (SINGLE PULSE)  
T
– T = P  
R
J(pk)  
C
θ
JC(t)  
100  
DUTY CYCLE, D = t /t  
1 2  
0.01  
0.02  
0.05  
0.1  
0.2  
0.5  
1.0  
2.0  
t, TIME (ms)  
5.0  
10  
20  
50  
200  
Figure 4. Thermal Response  
10  
There are two limitations on the power handling ability of a  
transistor: average junction temperature and second break-  
100  
500  
µs  
5.0  
1.0 ms  
µs  
2.0  
down. Safe operating area curves indicate I – V  
limits of  
C
CE  
dc  
the transistor that must be observed for reliable operation,  
i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipa-  
tion than the curves indicate.  
1.0  
0.5  
T
= 150°C  
J
5.0 ms  
BONDING WIRE LIMITED  
THERMALLY LIMITED @ T = 25°C  
C
(SINGLE PULSE)  
The data of Figure 5 is based on T  
= 150 C: T is  
C
J(pk)  
variable depending on conditions. Second breakdown pulse  
limits are valid for duty cycles to 10% provided T  
0.1  
0.05  
J(pk)  
may be calculated from the data in Fig-  
SECOND BREAKDOWN LIMITED  
150 C, T  
J(pk)  
CURVES APPLY BELOW RATED V  
CEO  
ure 4. At high case temperatures, thermal limitations will re-  
duce the power that can be handled to values less than the  
limitations imposed by second breakdown.  
BD789 (NPN) BD790 (PNP)  
BD791 (NPN) BD792 (PNP)  
0.02  
0.01  
1.0  
2.0 3.0  
5.0 7.0 10  
20  
30  
50 70 100  
V
, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)  
CE  
Figure 5. Active Region Safe Operating Area  
2000  
1000  
200  
T
= 25°C  
T
= 25°C  
J
J
V
I
= 30 V  
/I = 10  
CC  
100  
700  
500  
C B  
B1 B2  
C
ib  
I
= I  
t
s
70  
50  
300  
200  
100  
70  
50  
C
30  
20  
ob  
t
f
BD789, 791 (NPN)  
BD790, 792 (PNP)  
BD789, 791 (NPN)  
BD790, 792 (PNP)  
30  
20  
10  
1.0  
2.0  
3.0  
5.0 7.0  
10 20  
30  
50 70 100  
0.04 0.06  
0.1  
0.2  
0.4  
0.6  
1.0  
2.0  
4.0  
V
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)  
R
I
, COLLECTOR CURRENT (AMP)  
C
Figure 7. Capacitance  
Figure 6. Turn–Off Time  
3
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data  
123456

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