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BD789

更新时间： 2024-02-13 03:38:14
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摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
6页 179K
描述
Complementary Plastic Silicon Power Transistors

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BD789 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-225AA包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.91
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：4 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：5JEDEC-95代码：TO-225AA
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：225
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：40 MHz
Base Number Matches：1

BD789 数据手册

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*ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25 C unless otherwise noted)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1)  
V
Vdc  
CEO(sus)  
(I = 10 mAdc, I = 0)  
BD789, BD790  
BD791, BD792  
80  
100  
—
—
C
B
Collector Cutoff Current  
I
µAdc  
CEO  
(V  
CE  
(V  
CE  
= 40 Vdc, I = 0)  
BD789, BD790  
BD791, BD792  
—
—
100  
100  
B
= 50 Vdc, I = 0)  
B
Collector Cutoff Current  
I
CEX  
(V  
CE  
(V  
CE  
(V  
CE  
(V  
CE  
= 80 Vdc, V  
= 100 Vdc, V  
= 1.5 Vdc)  
= 1.5 Vdc)  
= 1 5 Vdc, T = 125 C)  
BD789, BD790  
BD791, BD792  
BD789, BD790  
BD791, BD792  
—
—
—
—
1.0  
1.0  
0.1  
0.1  
µAdc  
BE(off)  
BE(off)  
= 40 Vdc, V  
= 50 Vdc, V  
BE(off)  
BE(off)  
C
mAdc  
= 1.5 Vdc, T = 125 C)  
C
Emitter Cutoff Current (V  
EB  
= 6.0 Vdc, I = 0)  
I
—
1.0  
µAdc  
C
EBO  
ON CHARACTERISTICS (1)  
DC Current Gain  
h
FE  
—
(I = 200 mAdc, V  
= 3 0 Vdc)  
= 3.0 Vdc)  
= 3.0 Vdc)  
= 3.0 Vdc)  
40  
20  
10  
5.0  
250  
—
—
C
CE  
(I = 1.0 Adc, V  
C
CE  
CE  
CE  
(I = 2.0 Adc, V  
C
(I = 4.0 Adc, V  
C
—
Collector Emitter Saturation Voltage  
(I = 500 mAdc, I = 50 mAdc)  
V
Vdc  
CE(sat)  
—
—
—
—
0.5  
1.0  
2.5  
3.0  
C
B
(I = 1.0 Adc, I = 100 mAdc)  
C
C
B
B
B
(I = 2.0 Adc, I = 200 mAdc)  
(I = 4.0 Adc, I = 800 mAdc)  
C
Base–Emitter Saturation Voltage (I = 2.0 Adc, I = 200 mAdc)  
V
—
—
1.8  
1.5  
Vdc  
Vdc  
C
B
BE(sat)  
Base–Emitter On Voltage (I = 200 mAdc, V  
C
= 3.0 Vdc)  
V
BE(on)  
CE  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Current–Gain — Bandwidth Product  
f
40  
—
MHz  
pF  
T
(I = 100 mAdc, V  
C
= 10 Vdc, f = 10 MHz)  
CE  
Output Capacitance  
C
ob  
(V  
CB  
= 10 Vdc, I = 0, f = 0.1 MHz)  
BD789, BD791  
BD790, BD792  
—
—
50  
70  
C
Small–Signal Current Gain  
(I = 200 mAdc, V = 10 Vdc, f = 1.0 kHz)  
h
fe  
10  
—
—
C
CE  
* Indicates JEDEC Registered Data.  
(1) Pulse Test: Pulse Width 300 µs, Duty Cycle  
2.0%.  
500  
+ 30 V  
V
CC  
300  
200  
T
V
= 25°C  
J
25 µs  
R
= 30 V  
C
CC  
/I = 10  
+ 11 V  
0
I
C B  
SCOPE  
100  
R
B
70  
50  
– 9.0 V  
t , t 10 ns  
51  
D
1
t
r
30  
20  
r
f
DUTY CYCLE = 1.0%  
t
@ V  
BE(off)  
= 5.0 V  
– 4 V  
d
R
AND R VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS  
B
C
BD789, 791 (NPN)  
BD790, 792 (PNP)  
10  
D
MUST BE FAST RECOVERY TYPE, eg  
1
7.0  
MBR340 USED ABOVE I  
100 mA  
100 mA  
B
5.0  
0.04  
MSD6100 USED BELOW I  
0.06 0.1  
0.2  
0.4 0.6  
1.0  
2.0  
4.0  
B
FOR PNP TEST CIRCUIT, REVERSE ALL POLARITIES.  
I
, COLLECTOR CURRENT (AMP)  
C
Figure 2. Switching Time Test Circuit  
Figure 3. Turn–On Time  
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data  
2
123456

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