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罗姆 - ROHM | 电容器 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
23页 | 2305K | |
描述 | ||
罗姆的延迟时间自由设置型CMOS电压检测器IC系列是内置了采用CMOS工艺的高精度、低消耗电流延迟电路的CMOS RESET IC系列。可通过外接电容器设定延迟时间。为保证客户可根据应用进行选择,备有Nch漏极开路输出(BD52xx-2M)系列和CMOS输出(BD53xx-2M)系列产品。备有检测电压为0.9V~5.0V的0.1V阶跃的产品阵容。在-40°C到105°C的整个工作温度范围内,将延迟时间精度控制在±30%内。 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BD5349G-TR | ROHM |
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Power Supply Support Circuit, Fixed, 1 Channel, +4.9VV, CMOS, PDSO5, SSOP-5 | |
BD534A | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors | |
BD534B | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors | |
BD534C | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors | |
BD534-DR6259 | RENESAS |
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Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti | |
BD534-DR6260 | RENESAS |
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8A, 45V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB | |
BD534-DR6269 | RENESAS |
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8A, 45V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB | |
BD534-DR6274 | RENESAS |
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8A, 45V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB | |
BD534-DR6280 | RENESAS |
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Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti | |
BD534FI | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 8A I(C) | SOT-186 |