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BD243BTU

更新时间： 2024-11-27 11:01:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网开关晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 143K
描述
Power 6A 80V NPN

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BD243BTU 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
包装说明：TO-220, 3 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：6.03
最大集电极电流 (IC)：6 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：15
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：65 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BD243BTU 数据手册

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by BD243B/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
. . . designed for use in general purpose amplifier and switching applications.  
•
Collector – Emitter Saturation Voltage —  
= 1.5 Vdc (Max) @ I = 6.0 Adc  
Collector Emitter Sustaining Voltage —  
V
CE(sat)  
C
•
V
V
= 80 Vdc (Min) — BD243B, BD244B  
= 100 Vdc (Min) — BD243C, BD244C  
CEO(sus)  
CEO(sus)  
*Motorola Preferred Device  
•
•
High Current Gain Bandwidth Product  
f
= 3.0 MHz (Min) @ I = 500 mAdc  
T
C
6 AMPERE  
POWER TRANSISTORS  
COMPLEMENTARY  
SILICON  
Compact TO–220 AB Package  
MAXIMUM RATINGS  
80–100 VOLTS  
65 WATTS  
BD243B  
BD244B  
BD243C  
BD244C  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
V
CEO  
80  
80  
100  
100  
V
CB  
V
5.0  
EB  
Collector Current — Continuous  
Peak  
I
6
10  
C
Base Current  
I
B
2.0  
Adc  
Total Device Dissipation  
P
Watts  
D
@ T = 25 C  
65  
0.52  
C
Derate above 25 C  
W/ C  
C
CASE 221A–06  
TO–220AB  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
J
–65 to +150  
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
1.92  
C/W  
θJC  
80  
60  
40  
20  
0
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
C)  
140  
160  
T
, CASE TEMPERATURE (  
°
C
Figure 1. Power Derating  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 7  
Motorola, Inc. 1995
123456

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BD243BTU 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BD244BG ONSEMI

完全替代

 Complementary Silicon Plastic Power Transistors
BD243CG ONSEMI

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TIP41BG ONSEMI

类似代替

 Complementary Silicon Plastic Power Transistors

与BD243BTU相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BD243BU MOTOROLA

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 		Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
BD243BU2 MOTOROLA

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 		6A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD243BUA MOTOROLA

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 		6A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD243BW MOTOROLA

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 		Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
BD243BWD MOTOROLA

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 		6A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD243C MOTOROLA

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 		Complementary Silicon Plastic Power Transistors
BD243C ONSEMI

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 		POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
BD243C MOSPEC

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 		POWER TRANSISTORS(6A,65W)
BD243C BOCA

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 		COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORS
BD243C POINN

获取价格

 		NPN SILICON POWER TRANSISTORS

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