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BD244BG

更新时间： 2024-11-26 12:29:43
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
6页 147K
描述
Complementary Silicon Plastic Power Transistors

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BD244BG 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
零件包装代码：TO-220AB包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, CASE 221A-09, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：1 week
风险等级：1.38Is Samacsys：N
其他特性：LEADFORM OPTIONS ARE AVAILABLE外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：6 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：15
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：65 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：3 MHz
Base Number Matches：1

BD244BG 数据手册

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BD243B, BD243C (NPN)  
BD244B, BD244C (PNP)  
Complementary Silicon  
Plastic Power Transistors  
These devices are designed for use in general purpose amplifier and  
switching applications.  
http://onsemi.com  
Features  
6 AMPERE  
POWER TRANSISTORS  
COMPLEMENTARY SILICON  
80−100 VOLTS  
• Collector − Emitter Saturation Voltage −  
V
= 1.5 Vdc (Max) @ I = 6.0 Adc  
C
CE(sat)  
• Collector Emitter Sustaining Voltage −  
V
= 80 Vdc (Min) − BD243B, BD244B  
= 100 Vdc (Min) − BD243C, BD244C  
CEO(sus)  
65 WATTS  
• High Current Gain Bandwidth Product  
f = 3.0 MHz (Min) @ I = 500 mAdc  
T
C
• Pb−Free Packages are Available*  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
TO−220AB  
CASE 221A−09  
Collector−Emitter Voltage  
BD243B, BD244B  
V
Vdc  
CEO  
80  
1
STYLE 1  
BD243C, BD244C  
100  
2
3
Collector−Base Voltage  
BD243B, BD244B  
V
Vdc  
CB  
80  
100  
BD243C, BD244C  
Emitter−Base Voltage  
V
5.0  
Vdc  
Adc  
EB  
MARKING DIAGRAM  
Collector Current − Continuous  
− Peak  
I
6
10  
C
Base Current  
I
B
2.0  
Adc  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
P
65  
W
C
D
Derate above 25°C  
0.52  
W/°C  
BD24xyG  
AY WW  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
J
−65 to +150  
°C  
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristics  
Symbol  
Max  
Unit  
BD24xy = Device Code  
x = 3 or 4  
Thermal Resistance, Junction−to−Case  
R
1.92  
°C/W  
q
JC  
y = B or C  
Assembly Location  
Year  
Work Week  
Pb−Free Package  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
A
Y
WW  
G
=
=
=
=
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 5 of this data sheet.  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2011  
1
Publication Order Number:  
October, 2011 − Rev. 13  
BD243B/D  
123456

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BD244BG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BD244BTU FAIRCHILD

完全替代

 PNP Epitaxial Silicon Transistor, 3LD, TO220, JEDEC, MOLDED, 1000/RAIL
BD243B ONSEMI

完全替代

 POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
BD243CG ONSEMI

类似代替

 Complementary Silicon Plastic Power Transistors

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BD244BJ69Z FAIRCHILD

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 		Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
BD244BL MOTOROLA

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 		6A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD244BN MOTOROLA

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 		Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
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 		6A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
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 		PNP Epitaxial Silicon Transistor, 3LD, TO220, JEDEC, MOLDED, 1000/RAIL
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BD244BU MOTOROLA

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