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BD2270HFV

更新时间： 2024-01-06 13:04:36

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罗姆 - ROHM		驱动器 MOSFET驱动器驱动程序和接口接口集成电路光电二极管控制器
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13页	282K
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Controller ICs for High Side NMOSFET

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BD2270HFV 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOF
包装说明：	SSOP-5	针数：	5
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	Factory Lead Time：	9 weeks
风险等级：	1.17	高边驱动器：	YES
接口集成电路类型：	CCD DRIVER	JESD-30 代码：	R-PDSO-F5
长度：	1.6 mm	功能数量：	1
端子数量：	5	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VSOF	封装等效代码：	FL6,.047,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3/5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	0.6 mm
子类别：	MOSFET Drivers	最大供电电压：	5.5 V
最小供电电压：	2.7 V	标称供电电压：	3 V
表面贴装：	YES	温度等级：	OTHER
端子形式：	FLAT	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
断开时间：	60 µs	接通时间：	750 µs
宽度：	1.2 mm	Base Number Matches：	1

BD2270HFV 数据手册

Technical Note

BD2270HFV

●Functional Description

The BD2270HVF is a driver IC to use an N-channel MOSFET as a high side load switch. This IC incorporates the following

functions.

1. GATE drive

A voltage to drive the gate of N-channel MOSFET is generated by a built-in charge pump in the BD2270HFV. The

built-in charge pump in the BD2270HFV generates a voltage three times as high as the power supply voltage at the

GATE terminal. In addition, since this IC has a built-in capacitor for the charge pump, it needs no external parts.

The charge pump operates when the AEN is set to High. When the AEN is set to Low, the GATE terminal voltage is

fixed to the GND level.

2. Output discharge circuit

The output discharge circuit is enabled when the AEN is set to Low. When the discharge circuit is activated, the

200Ω(Typ.) MOSFET switch located between the DISC terminal and the GND terminal turns ON. Connecting between

the DISC terminal and the source side (load side) of the N-channel MOSFET makes it possible to immediately

discharge capacitive load.

3. Soft start function

When the AEN terminal input voltage reaches the High level, the built-in charge pump in the BD2270HFV charges the

gate of the N-channel MOSFET. The turn-on time of the N-channel MOSFET is determined by the GATE capacity. In

addition, connecting a capacitor to the GATE terminal makes it possible to slow the rise of turn-on time of the

N-channel MOSFET, thus achieving reduction of the inrush current to a large capacitive load.

4. Analog control input terminal

The AEN input of the BD2270HFV is connected to the built-in hysteresis comparator. Consequently, even analog

signals can control the BD2270HFV, thus facilitating the control of the switch ON-OFF sequence.

V_CC

IN_SWITCH

V_AEN

V_GATE

V_{OUT_SWITCH}

放電回路

Discharge circuit

OFF

Fig. 34 Operation Timing

* To turn ON the power supply (V_CC, VIN_{_SWITCH}), set the AEN to Low.

www.rohm.com

2011.05 - Rev.B

7/12

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