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BD169

更新时间： 2024-11-15 22:39:31
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摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管
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4页 113K
描述
Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor

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BD169 数据手册

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by BD165/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
1.5 AMPERE  
POWER TRANSISTORS  
NPN SILICON  
. . . designed for use as audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi  
complementary circuits.  
•
•
DC Current Gain — h = 40 (Min) @ I = 0.15 Adc  
FE C  
BD 165, 169 are complementary with BD 166, 168, 170  
45, 60, 80 VOLTS  
20 WATTS  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Type  
Value  
Unit  
Collector–Emitter Voltage  
V
V
V
BD 165  
BD 169  
45  
80  
CEO  
CBO  
EBO  
Collector–Base Voltage  
BD 165  
BD 169  
45  
80  
Vdc  
Emitter–Base Voltage  
Collector Current  
Base Current  
5
Vdc  
Adc  
Adc  
I
C
1.5  
0.5  
I
B
Total Device Dissipation @ T = 25 C  
A
Derate above 25 C  
P
D
1.25  
8
Watts  
mW/ C  
Total Device Dissipation @ T = 25 C  
C
Derate above 25 C  
P
D
20  
160  
Watt  
mW/ C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
J stg  
–65 to +150  
C
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
6.25  
100  
Unit  
C/W  
C/W  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
θ
θ
CASE 77–08  
TO–225AA TYPE  
JC  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25 C unless otherwise noted)  
C
Characteristic  
Symbol  
Type  
Min  
Max  
Unit  
Collector–Emitter Sustaining Voltage*  
BV  
BD 165  
BD 169  
45  
80  
—
—
Vdc  
CEO  
(I = 0.1 Adc, I = 0)  
C
B
Collector Cutoff Current  
I
mAdc  
mAdc  
CBO  
(V  
CB  
(V  
CB  
= 45 Vdc, I = 0)  
E
BD 165  
BD 169  
—
—
0.1  
0.1  
= 80 Vdc, I = 0)  
E
Emitter Cutoff Current (V  
DC current Gain  
= 5.0 Vdc, I = 0)  
I
EBO  
—
1.0  
BE  
C
h
*
FE  
(I = 0.15 A, V  
(I = 0.5 A, V  
C CE  
= 2 V)  
= 2 V)  
40  
15  
—
—
C
CE  
Collector–Emitter Saturation Voltage*  
(I = 0.5 Adc, I = 0.05 Adc)  
V
—
0.5  
0.95  
—
Vdc  
Vdc  
MHz  
CE(sat)*  
C
B
Base–Emitter On Voltage*  
(I = 0.5 Adc, V = 2.0 Vdc)  
V
BE(on)*  
—
C
CE  
Current Gain–Bandwidth Product  
f
T
6.0  
(I = 500 mAdc, V  
C
= 2 Vdc,  
CE  
f = 1.0 MHz)  
* Pulse Test: Pulse Width  
300 µs, Duty Cycle  
2.0%.  
REV 7  
Motorola, Inc. 1995
1234

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