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BD175

更新时间： 2024-01-19 13:03:11

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	124K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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BD175 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.26	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JEDEC-95代码：	TO-126
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN (315)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	3 MHz	Base Number Matches：	1

BD175 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

BD175 BD177 BD179

DESCRIPTION

·With TO-126 package

·Complement to type BD176/178 /180

APPLICATIONS

·For medium power linear and

switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Base

Absolute maximum ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

UNIT

BD175

BD177

BD179

BD175

BD177

BD179

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

Open base

V_CEO

Collector-emitter voltage

V_EBO

I_C

Emitter -base voltage

Collector current (DC)

Collector current-Peak

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

Open collector

I_CM

P_C

T_j

T_C=25℃

℃

150

-65~150

T_stg

12 3

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与BD175相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BD17510	FAIRCHILD	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/	获取价格
BD175-10	ISC	Transistor	获取价格
BD175-10	SAMSUNG	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/	获取价格
BD175-10	MOTOROLA	Transistor	获取价格
BD17510STU	FAIRCHILD	NPN Epitaxial Silicon Transistor, TO-126 (SOT32) UNIFIED DRAWING (TSTU, TSSTU, STANDARD),	获取价格
BD17510STU	ONSEMI	NPN外延硅晶体管	获取价格