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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.26 | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 45 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | JEDEC-95代码： | TO-126 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | MATTE TIN (315) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 3 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| BD17510 | FAIRCHILD | Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| BD175-10 | ISC | Transistor |
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| BD175-10 | SAMSUNG | Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| BD175-10 | MOTOROLA | Transistor |
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| BD17510STU | FAIRCHILD | NPN Epitaxial Silicon Transistor, TO-126 (SOT32) UNIFIED DRAWING (TSTU, TSSTU, STANDARD), |
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| BD17510STU | ONSEMI | NPN外延硅晶体管 |
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