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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BCY |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.6 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 基于收集器的最大容量： | 5 pF | 集电极-发射极最大电压： | 32 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 180 |
| JEDEC-95代码： | TO-18 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 1 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 800 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 150 ns | VCEsat-Max： | 0.7 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCY58/X | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18, METAL CAN-3, BIP General |
|
| BCY58_12 | COMSET |
获取价格 |
SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
|
| BCY58-10 | NSC |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,32V V(BR)CEO,TO-18 |
|
| BCY58-7 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | TO-18 |
|
| BCY58-8 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | TO-18 |
|
| BCY58-9 | CDIL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, |
|
| BCY58A | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO18 |
|
| BCY58A | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 32V 0.2A 3-Pin TO-18 |
|
| BCY58AD | ZETEX |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,32V V(BR)CEO,CHIP / DIE |
|
| BCY58B | MICRO-ELECTRONICS |
获取价格 |
Transistor, |
|
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