生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | BCY |
包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.21.00.75 | 风险等级: | 5.6 |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 0.1 A |
基于收集器的最大容量: | 5 pF | 集电极-发射极最大电压: | 32 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 180 |
JEDEC-95代码: | TO-18 | JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 200 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | CYLINDRICAL |
极性/信道类型: | NPN | 功耗环境最大值: | 1 W |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | BOTTOM |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 150 MHz | 最大关闭时间(toff): | 800 ns |
最大开启时间(吨): | 150 ns | VCEsat-Max: | 0.7 V |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BCY58/X | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18, METAL CAN-3, BIP General | |
BCY58_12 | COMSET |
获取价格 |
SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS | |
BCY58-10 | NSC |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,32V V(BR)CEO,TO-18 | |
BCY58-7 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | TO-18 | |
BCY58-8 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | TO-18 | |
BCY58-9 | CDIL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, | |
BCY58A | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO18 | |
BCY58A | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 32V 0.2A 3-Pin TO-18 | |
BCY58AD | ZETEX |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,32V V(BR)CEO,CHIP / DIE | |
BCY58B | MICRO-ELECTRONICS |
获取价格 |
Transistor, |