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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.22 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 32 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | CECC |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 125 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 800 ns | 最大开启时间（吨）： | 150 ns |
| VCEsat-Max： | 0.35 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCY58PQ | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 S |
|
| BCY58PSTOA | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 S |
|
| BCY58PSTOB | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 S |
|
| BCY58PSTZ | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 S |
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| BCY58VII | NXP |
获取价格 |
NPN switching transistors |
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| BCY58-VII | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 32V 0.2A 3-Pin TO-18 |
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| BCY58-VII | CENTRAL |
获取价格 |
32V,100mA,340mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise |
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| BCY58VIII | NXP |
获取价格 |
NPN switching transistors |
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| BCY58-VIII | MOTOROLA |
获取价格 |
200mA, 32V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-206AA |
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| BCY58-VIII | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 32V 0.2A 3-Pin TO-18 |
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