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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.6 |
| JESD-609代码： | e3 | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| BCY58_12 | COMSET | SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
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| BCY58-10 | NSC | TRANSISTOR,BJT,NPN,32V V(BR)CEO,TO-18 |
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| BCY58-7 | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | TO-18 |
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| BCY58-8 | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | TO-18 |
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| BCY58-9 | CDIL | Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, |
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| BCY58A | SEME-LAB | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO18 |
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