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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.1 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 45 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 125 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCX51LEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
| BCX51-Q | NEXPERIA |
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45 V, 1 A PNP medium power transistorsProduction |
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| BCX51T | NEXPERIA |
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45 V, 1 A PNP power bipolar transistorsProduction |
|
| BCX51-T | NXP |
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TRANSISTOR 1000 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SOT-89, 3 PIN, BIP General Pur |
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| BCX51T/R | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-89 |
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| BCX51-T1 | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, POWER, PL |
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| BCX51-T1AB | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, POWER, PL |
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| BCX51-T1AC | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, POWER, PL |
|
| BCX51-T1AD | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, POWER, PL |
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| BCX51-T2 | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, POWER, PL |
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