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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> BCX51LEADFREE
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BCX51LEADFREE

更新时间： 2024-09-17 13:05:55
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
2页 107K
描述
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, PLASTIC PACKAGE-3

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BCX51LEADFREE 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：PLASTIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.06Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JESD-30 代码：R-PSSO-F3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHzBase Number Matches：1

BCX51LEADFREE 数据手册

 浏览型号BCX51LEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
BCX51  
BCX52  
BCX53  
Central  
Semiconductor Corp.  
SURFACE MOUNT  
DESCRIPTION:  
PNP SILICON TRANSISTOR  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR BCX51,  
BCX52, and BCX53 types are PNP Silicon  
Transistors manufactured by the epitaxial planar  
process, epoxy molded in a surface mount  
package, designed for high current general  
purpose amplifier applications.  
SOT-89 CASE  
MAXIMUM RATINGS (T =25°C)  
A
BCX51  
45  
BCX52  
60  
BCX53  
100  
UNITS  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
45  
60  
80  
V
5.0  
V
I
1.0  
A
C
Peak Collector Current  
Base Current  
I
1.5  
A
CM  
I
100  
200  
1.2  
mA  
mA  
W
B
Peak Base Current  
Power Dissipation  
I
BM  
P
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T ,T  
J stg  
-65 to +150  
104  
°C  
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
100  
10  
UNITS  
nA  
µA  
nA  
V
I
I
I
V
V
V
=30V  
CBO  
CBO  
EBO  
CB  
CB  
EB  
=30V, T =125°C  
A
=5.0V  
100  
BV  
BV  
BV  
BV  
BV  
BV  
I =100µA (BCX51)  
45  
60  
CBO  
CBO  
CBO  
CEO  
CEO  
CEO  
CE(SAT)  
BE(ON)  
FE  
C
I =100µA (BCX52)  
V
C
I =100µA (BCX53)  
100  
45  
V
C
I =10mA (BCX51)  
V
C
I =10mA (BCX52)  
60  
V
C
I =10mA (BCX53)  
80  
V
C
V
V
I =500mA, I =50mA  
0.5  
1.0  
V
C
B
V
=2.0V, I =500mA  
V
CE  
CE  
CE  
CE  
B
h
h
V
V
V
=2.0V, I =5.0mA  
63  
63  
C
=2.0V, I =150mA  
250  
160  
250  
FE  
C
h
=2.0V, I =150mA  
C
FE  
FE  
FE  
(BCX51-10, BCX52-10, BCX53-10)  
63  
h
h
V
=2.0V, I =150mA  
C
CE  
(BCX51-16, BCX52-16, BCX53-16)  
=2.0V, I =500mA  
100  
40  
V
CE  
C
f
V
=5.0V, I =10mA, f=100MHz  
50  
MHz  
T
CE  
C
R1 ( 18-December 2001)  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BCX51-Q NEXPERIA

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 		45 V, 1 A PNP medium power transistorsProduction
BCX51T NEXPERIA

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 		45 V, 1 A PNP power bipolar transistorsProduction
BCX51-T NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 1000 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SOT-89, 3 PIN, BIP General Pur
BCX51T/R ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-89
BCX51-T1 NEC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, POWER, PL
BCX51-T1AB NEC

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