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BCW30/T4

更新时间： 2024-01-09 00:26:03

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恩智浦 - NXP		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	111K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BIP General Purpose Small Signal

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BCW30/T4 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.63
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	32 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	215
JEDEC-95代码：	TO-236AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

BCW30/T4 数据手册

NXP Semiconductors

Product data sheet

PNP general purpose transistors

BCW29; BCW30

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

note 1

VALUE

UNIT

R_th(j-a)

thermal resistance from junction to ambient

500

K/W

Note

1. Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.

CHARACTERISTICS

T_j= 25 °C unless otherwise specified.

SYMBOL

I_CBO

PARAMETER

CONDITIONS

I_E= 0; V_CB= −32 V

MIN. TYP. MAX. UNIT

collector cut-off current

−

−100 nA

−10 μA

I_E= 0; V_CB= −32 V; T_j= 100 °C

I_C= 0; V_EB= −5 V

I_EBO

h_FE

emitter cut-off current

DC current gain

BCW29

−100 nA

I_C= −10 μA; V_CE= −5 V

−

BCW30

150

DC current gain

BCW29

I_C= −2 mA; V_CE= −5 V

120

215

−

260

BCW30

−

500

V_CEsat

collector-emitter saturation

voltage

I_C= −10 mA; I_B= −0.5 mA

I_C= −50 mA; I_B= −2.5 mA

I_C= −10 mA; I_B= −0.5 mA

I_C= −50 mA; I_B= −2.5 mA

I_C= −2 mA; V_CE= −5 V

−80

−150

−720

−810

−

−300 mV

−

V_BEsat

base-emitter saturation voltage

−

V_BE

C_c

f_T

base-emitter voltage

collector capacitance

transition frequency

noise figure

−600

−

−750 mV

I_E= I_e= 0; V_CB= −10 V; f = 1 MHz

4.5

−

I_C= −10 mA; V_CE= −5 V; f = 100 MHz 100

−

MHz

I_C= −200 μA; V_CE= −5 V; R_S= 2 kΩ;

−

f = 1 kHz; B = 200 Hz

2004 Jan 13

1 234 5 6

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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