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BCW30/T4

更新时间： 2024-01-31 05:29:33

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恩智浦 - NXP		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	111K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BIP General Purpose Small Signal

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技术参数
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BCW30/T4 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.63
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	32 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	215
JEDEC-95代码：	TO-236AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

BCW30/T4 数据手册

NXP Semiconductors

Product data sheet

PNP general purpose transistors

BCW29; BCW30

FEATURES

PINNING

• Low current (max. 100 mA)

• Low voltage (max. 32 V).

DESCRIPTION

base

emitter

collector

APPLICATIONS

• General purpose switching and amplification.

DESCRIPTION

PNP transistor in a SOT23 plastic package.

NPN complements: BCW31 and BCW32.

handbook, halfpage

MARKING

TYPE NUMBER

BCW29

MARKING CODE⁽¹⁾

C1*

C2*

BCW30

Top view

MAM256

Note

1. * = p : Made in Hong Kong.

* = t : Made in Malaysia.

* = W : Made in China.

Fig.1 Simplified outline SOT23 and symbol.

ORDERING INFORMATION

TYPE

PACKAGE

DESCRIPTION

plastic surface mounted package; 3 leads

NUMBER

NAME

VERSION

BCW29

BCW30

−

SOT23

LIMITING VALUES

In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).

SYMBOL

PARAMETER

collector-base voltage

CONDITIONS

open emitter

MIN.

MAX.

−32

UNIT

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

−

collector-emitter voltage

emitter-base voltage

collector current (DC)

peak collector current

peak base current

open base; I_C= −2 mA

−32

open collector

−5

−100

−200

250

°C

I_CM

I_BM

P_tot

T_stg

T_j

total power dissipation

storage temperature

junction temperature

operating ambient temperature

T_amb≤ 25 °C

−65

−

+150

150

T_amb

−65

+150

2004 Jan 13

123 4 5 6

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与BCW30/T4相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BCW30_02	FAIRCHILD	PNP General Purpose Amplifier	获取价格
BCW30BK	CENTRAL	Small Signal Bipolar Transistor, 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,	获取价格
BCW30BKLEADFREE	CENTRAL	Small Signal Bipolar Transistor, 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,	获取价格
BCW30CSM	ETC	PNP	获取价格
BCW30D87Z	FAIRCHILD	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon	获取价格
BCW30D87Z	TI	PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB	获取价格