BCW29TRL

更新时间： 2024-01-15 03:22:21

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	90K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BCW29TRL 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.08	其他特性：	LOW NOISE
基于收集器的最大容量：	4.5 pF	集电极-发射极最大电压：	32 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN (315)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
VCEsat-Max：	0.3 V	Base Number Matches：	1

BCW29TRL 数据手册

NXP Semiconductors

Product data sheet

PNP general purpose transistors

BCW29; BCW30

FEATURES

PINNING

• Low current (max. 100 mA)

• Low voltage (max. 32 V).

DESCRIPTION

base

emitter

collector

APPLICATIONS

• General purpose switching and amplification.

DESCRIPTION

PNP transistor in a SOT23 plastic package.

NPN complements: BCW31 and BCW32.

handbook, halfpage

MARKING

TYPE NUMBER

BCW29

MARKING CODE⁽¹⁾

C1*

C2*

BCW30

Top view

MAM256

Note

1. * = p : Made in Hong Kong.

* = t : Made in Malaysia.

* = W : Made in China.

Fig.1 Simplified outline SOT23 and symbol.

ORDERING INFORMATION

TYPE

PACKAGE

DESCRIPTION

plastic surface mounted package; 3 leads

NUMBER

NAME

VERSION

BCW29

BCW30

−

SOT23

LIMITING VALUES

In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).

SYMBOL

PARAMETER

collector-base voltage

CONDITIONS

open emitter

MIN.

MAX.

−32

UNIT

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

−

collector-emitter voltage

emitter-base voltage

collector current (DC)

peak collector current

peak base current

open base; I_C= −2 mA

−32

open collector

−5

−100

−200

250

°C

I_CM

I_BM

P_tot

T_stg

T_j

total power dissipation

storage temperature

junction temperature

operating ambient temperature

T_amb≤ 25 °C

−65

−

+150

150

T_amb

−65

+150

2004 Jan 13

123 4 5 6

下载PDF

与BCW29TRL相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BCW29TRL13	NXP	TRANSISTOR 100 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa	获取价格
BCW29TRL13	YAGEO	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon	获取价格
BCW29TRLEADFREE	CENTRAL	Small Signal Bipolar Transistor, 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,	获取价格
BCW30	RECTRON	SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS TRANSISTOR(PNP)	获取价格
BCW30	SEMTECH	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor	获取价格
BCW30	TYSEMI	Low current (max. 100 mA). Low voltage (max. 32 V). Collector-base voltage VCBO -32 V	获取价格