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BCW30

更新时间: 2024-01-03 15:12:38
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三星 - SAMSUNG 晶体晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
1页 37K
描述
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

BCW30 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.07Is Samacsys:N
其他特性:LOW NOISE基于收集器的最大容量:4.5 pF
集电极-发射极最大电压:32 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):215JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:MATTE TIN (315)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:10晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):150 MHzVCEsat-Max:0.3 V
Base Number Matches:1

BCW30 数据手册

  

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