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BCW30

更新时间： 2024-02-20 22:39:06

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TYSEMI		光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	114K
描述
Low current (max. 100 mA). Low voltage (max. 32 V). Collector-base voltage VCBO -32 V

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BCW30 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.07	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW NOISE	基于收集器的最大容量：	4.5 pF
集电极-发射极最大电压：	32 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	215	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN (315)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	VCEsat-Max：	0.3 V
Base Number Matches：	1

BCW30 数据手册

SMD Type

TransistIoCrs

Product specification

BCW29,BCW30

SOT-23

Unit: mm

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

Features

Low current (max. 100 mA).

Low voltage (max. 32 V).

+0.1

0.95

-0.1

+0.05

0.1

-0.01

+0.1

1.9

-0.1

1.Base

2.Emitter

3.collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

-32

Unit

Collector-emitter voltage

-32

Emitter-base voltage

-5

Collector current

-100

Peak collector current

I^CM

-200

Peak base current

I^BM

-200

Total power dissipation

P^tot

250

Storage temperature

T^stg

-65 to +150

150

Junction temperature

T^j

Operating ambient temperature

Thermal resistance from junction to ambient *

* Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.

R^amb

R^{th j-a}

-65 to +150

500

K/W

4008-318-123

http://www.twtysemi.com

1 of 2

sales@twtysemi.com

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