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BCW30

更新时间： 2024-02-06 05:25:20
品牌 Logo 应用领域
RECTRON 晶体小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 452K
描述
SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS TRANSISTOR(PNP)

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BCW30 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.07Is Samacsys：N
其他特性：LOW NOISE基于收集器的最大容量：4.5 pF
集电极-发射极最大电压：32 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：215JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN (315)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHzVCEsat-Max：0.3 V
Base Number Matches：1

BCW30 数据手册

 浏览型号BCW30的Datasheet PDF文件第2页 
BCW30  
SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS  
TRANSISTOR(PNP)  
FEATURES  
* Power dissipation  
PCM :  
0.225 W (Tamb=25OC)  
Collector current  
ICM :  
*
*
*
-0.1  
A
Collector-base voltage  
-32  
V
:
V
(BR)CBO  
SOT-23  
Operating and storage junction temperature range  
T ,Tstg: -55OC to +150OC  
J
COLLECTOR  
3
0.055(1.40)  
0.047(1.20)  
BASE  
MECHANICAL DATA  
* Case: Molded plastic  
1
2
EMITTER  
* Epoxy: UL 94V-O rate flame retardant  
* Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed  
* Mounting position: Any  
0.006(0.15)  
0.003(0.08)  
0.043(1.10)  
0.035(0.90)  
0.020(0.50)  
0.012(0.30)  
0.004(0.10)  
0.000(0.00)  
* Weight: 0.008 gram  
0.100(2.55)  
0.089(2.25)  
0.020(0.50)  
0.012(0.30)  
1
2
0.019(2.00)  
0.071(1.80)  
0.118(3.00)  
0.110(2.80)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25OC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
3
Dimensions in inches and (millimeters)  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( @ TA = 25oC unless otherwise noted )  
CHARACTERISTICS  
Collector-base breakdown voltage (I = -10µA, I =0)  
SYMBOL  
MIN  
-32  
TYP  
MAX  
-
UNITS  
V
V
C
E
(BR)CBO  
(BR)CEO  
-
-
-
-
-
V
-32  
-5  
-
Collector-emitter breakdown voltage (I = -2mA, I =0)  
-
-
C
B
V
V
V
Emitter-base breakdown voltage (I = -10µA, I =0)  
(BR)EBO  
E
C
I
Collector cut-off current (V = -32V, I =0)  
-0.1  
-0.1  
CBO  
µA  
µA  
µA  
CB  
E
-
-
I
Collector cut-off current (V = -30V, I =0)  
CEO  
CE  
B
I
Collector cut-off current (V = -5V, I =0)  
EBO  
-
EB  
C
-0.1  
500  
-
h
DC current gain (V = -5V, I = -2mA)  
215  
-
-
-
FE  
CE  
C
V
V
CE(sat)  
-0.3  
Collector-emitter saturation voltage (I = -10mA, I = -0.5mA)  
C
B
Base-emitter voltage (I = -2mA, V = -5V)  
V
BE(on)  
-
-
-0.75  
V
C
CE  
CLASSIFICATION OF h  
FE  
RANK  
Range  
L
H
215-350  
350-500  
Marking  
C2X  
Note ; “Fully ROHS compliant”, “100% Sn plating (Pb-free)”.  
2007-3  
12

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