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BCV48H6327XTSA1

更新时间： 2024-02-10 23:31:55

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英飞凌 - INFINEON		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	518K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

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BCV48H6327XTSA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	End Of Life
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	Reach Compliance Code：	compliant
Factory Lead Time：	6 weeks	风险等级：	6.37
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	2000	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
参考标准：	AEC-Q101	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

BCV48H6327XTSA1 数据手册

BCV28, BCV48

DC current gain h = ƒ(I )

Collector-emitter saturation voltage

I = ƒ(V ), h = 1000

= 5 V

CEsat

BCV 28/48

EHP00313

BCV 28/48

EHP00316

10³

10⁶

Ι _C

h_FE

150 ˚C

25 ˚C

-50 ˚C

125 ˚C

25 ˚C

10²

10⁵

-55 ˚C

10⁴

10¹

10³

10⁰

10^-1

10⁰

10¹

10²mA 10³

0.5

1.0

1.5

V_CEsat

Ι _C

Base-emitter saturation voltage

Collector cutoff current I

= ƒ(T )

CBO A

I = ƒ(V

), h = 1000

= V

BEsat

CB CEmax

BCV 28/48

EHP00314

BCV 28/48

EHP00309

10³

10⁴

Ι _C

Ι _CBO

max

150 ˚C

25 ˚C

10³

10²

10¹

10⁰

-50 ˚C

10²

typ

10¹

10⁰

100

150

1.0

2.0

3.0

˚C

T_A

V_BEsat

2011-10-05

1 2 345 6 7

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与BCV48H6327XTSA1相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BCV48-Q	NEXPERIA	PNP Darlington transistorProduction	获取价格
BCV48-T	NXP	TRANSISTOR 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243AA, PLASTIC, SC-62, 3 PIN	获取价格
BCV48T/R	NXP	TRANSISTOR 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243AA, PLASTIC, SC-62, 3 PIN	获取价格
BCV48TA	ZETEX	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,	获取价格
BCV48TA	DIODES	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon	获取价格
BCV48-TAPE-13	NXP	TRANSISTOR 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa	获取价格