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BCV48H6327XTSA1

更新时间： 2024-01-01 19:32:14

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英飞凌 - INFINEON		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	518K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

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BCV48H6327XTSA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	End Of Life
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	Reach Compliance Code：	compliant
Factory Lead Time：	6 weeks	风险等级：	6.37
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	2000	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
参考标准：	AEC-Q101	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

BCV48H6327XTSA1 数据手册

BCV28, BCV48

Thermal Resistance

Parameter

Junction - soldering point

Symbol

Value

≤ 20

Unit

K/W

thJS

For calculation of R

please refer to Application Note AN077 (Thermal Resistance Calculation)

thJA

Electrical Characteristics at T = 25°C, unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Values

typ. max.

Unit

min.

DC Characteristics

Collector-emitter breakdown voltage

(BR)CEO

(BR)CBO

(BR)EBO

I = 10 mA, I = 0 , BCV28

I = 10 mA, I = 0 , BCV48

Collector-base breakdown voltage

I = 100 µA, I = 0 , BCV28

I = 100 µA, I = 0 , BCV48

Emitter-base breakdown voltage

I = 10 µA, I = 0

Collector-base cutoff current

µA

CBO

= 30 V, I = 0 , BCV28

0.1

= 60 V, I = 0 , BCV48

= 30 V, I = 0 , T ≤ 150 °C, BCV28

= 60 V, I = 0 , T ≤ 150 °C, BCV48

100 nA

Emitter-base cutoff current

EBO

= 4 V, I = 0

DC current gain

I = 10 µA, V = 1 V, BCV28

4000

2000

10000

4000

20000

10000

4000

I = 10 µA, V = 1 V, BCV48

I = 10 mA, V = 5 V, BCV28

I = 10 mA, V = 5 V, BCV48

I = 100 mA, V = 5 V, BCV28

I = 100 mA, V = 5 V, BCV48

I = 0.5 A, V = 5 V, BCV28

I = 0.5 A, V = 5 V, BCV48

2000

Collector-emitter saturation voltage

I = 100 mA, I = 0.1 mA

CEsat

Base emitter saturation voltage

I = 100 mA, I = 0.1 mA

1.5

BEsat

2011-10-05

123 4 5 6 7

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