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BCR533E6327HTSA1

更新时间： 2024-09-27 21:20:55

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英飞凌 - INFINEON		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	526K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

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BCR533E6327HTSA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	End Of Life	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	6.36	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	70
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

BCR533E6327HTSA1 数据手册

BCR533

NPN Silicon Digital Transistor

• Built in bias resistor (R = 10 kΩ, R = 10 kΩ)

• Pb-free (RoHS compliant) package

• Qualified according AEC Q101

R₁

R₂

EHA07184

Type

BCR533

Marking

XCs

Pin Configuration

Package

SOT23

1=B

2=E

3=C

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Input forward voltage

Input reverse voltage

Collector current

CEO

CBO

i(fwd)

i(rev)

500

330

Total power dissipation-

tot

T ≤ 79 °C

150

°C

Junction temperature

Storage temperature

-65 ... 150

stg

Thermal Resistance

Parameter

Junction - soldering point

Symbol

Value

≤ 215

Unit

K/W

thJS

For calculation of R

please refer to Application Note AN077 (Thermal Resistance Calculation)

thJA

2011-10-06

12 3 4 5 6

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