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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BCR148S
BCR148S PDF预览

BCR148S

更新时间： 2024-11-24 22:48:15
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体开关小信号双极晶体管数字晶体管光电二极管驱动
页数 文件大小 规格书
4页 48K
描述
NPN Silicon Digital Transistor Array (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit)

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BCR148S 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：End Of Life包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.43
Is Samacsys：N其他特性：BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：70
JESD-30 代码：R-PDSO-G6湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified参考标准：AEC-Q101
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

BCR148S 数据手册

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BCR 148S  
NPN Silicon Digital Transistor Array  
• Switching circuit, inverter, interface circuit,  
driver circuit  
• Two (galvaniv) internal isolated Transistors  
driver circuit  
Ω
Ω
• Built in bias resistor (R =47k , R =47K )  
1
2
Type  
Marking Ordering Code Pin Configuration  
Package  
BCR 148S WEs  
Q62702-C2417 1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT-363  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
Unit  
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
Input on Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
V
i(on)  
50  
V
50  
10  
50  
DC collector current  
I
70  
mA  
mW  
°C  
C
Total power dissipation, T = 115°C  
P
250  
S
tot  
Junction temperature  
Storage temperature  
T
T
150  
j
- 65 ... + 140  
stg  
Thermal Resistance  
1)  
≤
≤
Junction ambient  
R
R
275  
140  
K/W  
thJA  
Junction - soldering point  
thJS  
1) Package mounted on pcb 40mm x 40mm x 1.5mm / 0.5cm2 Cu  
Semiconductor Group  
1
Nov-26-1996  
1234

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