BCR149L3

更新时间： 2024-02-02 09:20:00

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英飞凌 - INFINEON		晶体小信号双极晶体管开关
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描述
NPN Silicon Digital Transistor

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BCR149L3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TSLP-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.07 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JESD-30 代码：	R-XBCC-N3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

BCR149L3 数据手册

BCR149...

NPN Silicon Digital Transistor

• Switching circuit, inverter, interface circuit,

driver circuit

• Built in bias resistor (R = 47kΩ)

BCR149F/L3

BCR149T

R₁

EHA07264

Type

Marking

UAs

Pin Configuration

Package

BCR149F*

BCR149L3*

BCR149T*

1=B

2=E 3=C

TSFP-3

TSLP-3-4

SC75

UAs

* Preliminary

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Input on voltage

CEO

CBO

EBO

i(on)

Collector current

Total power dissipation-

tot

BCR149F, T ≤ 128°C

250

BCR149L3, T ≤ 135°C

BCR149T, T ≤ 109°C

150

°C

Junction temperature

Storage temperature

-65 ... 150

stg

Nov-04-2003

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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