BCR149T

更新时间： 2024-11-20 22:48:15

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英飞凌 - INFINEON		晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
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NPN Silicon Digital Transistor

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BCR149T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-75	包装说明：	SC-75, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.07 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

BCR149T 数据手册

BCR149...

NPN Silicon Digital Transistor

• Switching circuit, inverter, interface circuit,

driver circuit

• Built in bias resistor (R = 47kΩ)

BCR149F/L3

BCR149T

R₁

EHA07264

Type

Marking

UAs

Pin Configuration

Package

BCR149F*

BCR149L3*

BCR149T*

1=B

2=E 3=C

TSFP-3

TSLP-3-4

SC75

UAs

* Preliminary

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Input on voltage

CEO

CBO

EBO

i(on)

Collector current

Total power dissipation-

tot

BCR149F, T ≤ 128°C

250

BCR149L3, T ≤ 135°C

BCR149T, T ≤ 109°C

150

°C

Junction temperature

Storage temperature

-65 ... 150

stg

Nov-04-2003

12 3 4 5 6

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