BCR12

更新时间： 2024-02-13 12:00:27

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三菱 - MITSUBISHI		局域网
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5页	94K
描述
MEDIUM POWER USE NON-INSULATED TYPE, PLANAR PASSIVATION TYPE

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BCR12 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220F
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.81	其他特性：	UL RECOGNIZED
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
换向电压的临界上升率-最小值：	10 V/us	最大直流栅极触发电流：	20 mA
最大直流栅极触发电压：	1.5 V	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
最大漏电流：	2 mA	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	12 A
断态重复峰值电压：	600 V	子类别：	TRIACs
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	触发设备类型：	TRIAC
Base Number Matches：	1

BCR12 数据手册

MITSUBISHI SEMICONDUCTOR TRIAC

BCR12CM

MEDIUM POWER USE

NON-INSULATED TYPE, PLANAR PASSIVATION TYPE

BREAKOVER VOLTAGE VS.

RATE OF RISE OF

OFF-STATE VOLTAGE

COMMUTATION CHARACTERISTICS

160

140

120

100

VOLTAGE WAVEFORM

TYPICAL

EXAMPLE

TYPICAL EXAMPLE

Tj = 125°C

(dv/dt)

= 125°C

10²

T = 4A

CURRENT WAVEFORM

τ = 500µs

= 200V

(di/dt)

# 2

III QUADRANT

f = 3Hz

10¹

I QUADRANT

MINIMUM

CHARAC-

TERISTICS

VALUE

# 1

10⁰

III QUADRANT

I QUADRANT

10¹2 3 5 7 10²2 3 5 7 10³2 3 5 7 10⁴

10⁰2 3 5 7 10¹2 3 5 7 10²2 3 5 7 10³

RATE OF RISE OF OFF-STATE VOLTAGE (V/µs)

RATE OF DECAY OF ON-STATE

COMMUTATING CURRENT (A/ms)

GATE TRIGGER CURRENT VS.

GATE CURRENT PULSE WIDTH

GATE TRIGGER CHARACTERISTICS TEST CIRCUITS

6Ω

10³

TYPICAL EXAMPLE

FGT I

RGT I

RGT III

10²

TEST PROCEDURE 1 TEST PROCEDURE 2

6Ω

10¹

10⁰

3 4 5 7 10¹

3 4 5 7 10²

TEST PROCEDURE 3

GATE CURRENT PULSE WIDTH (µs)

Feb.1999

1 2 3 45

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