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BCR129L3

更新时间： 2024-01-16 11:13:09

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	491K
描述
NPN Silicon Digital Transistor

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BCR129L3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TSLP-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.73	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JESD-30 代码：	R-XBCC-N3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

BCR129L3 数据手册

BCR129.../SEMH4

NPN Silicon Digital Transistor

• Switching circuit, inverter, interface circuit,

driver circuit

• Built in bias resistor (R =10kΩ)

• For 6-PIN packages: two (galvanic) internal

isolated transistors with good matching

in one package

BCR129/F/L3

BCR129T/W

BCR129S

SEMH4

R₁

TR2

TR1

EHA07264

EHA07265

Type

Marking

Pin Configuration

Package

BCR129

WVs

1=B 2=E 3=C

1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT363

1=B 2=E 3=C

SOT23

TSFP-3

TSLP-3-4

BCR129F

BCR129L3

BCR129S

BCR129T

BCR129W

SEMH4

SC75

SOT323

1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT666

May-17-2004

12 3 4 5 6 7...10

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