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BCR129W

更新时间: 2024-01-12 16:30:41
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 491K
描述
NPN Silicon Digital Transistor

BCR129W 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:End Of Life零件包装代码:SC-70
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.72其他特性:BUILT-IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):120
JESD-30 代码:R-PDSO-G3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.25 W认证状态:Not Qualified
子类别:BIP General Purpose Small Signal表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):150 MHz
Base Number Matches:1

BCR129W 数据手册

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BCR129.../SEMH4  
NPN Silicon Digital Transistor  
Switching circuit, inverter, interface circuit,  
driver circuit  
Built in bias resistor (R =10k)  
1
For 6-PIN packages: two (galvanic) internal  
isolated transistors with good matching  
in one package  
BCR129/F/L3  
BCR129T/W  
BCR129S  
SEMH4  
C1  
B2  
E2  
C
6
5
4
3
R1  
R1  
R1  
TR2  
TR1  
1
2
1
2
3
B
E
E1  
B1  
C2  
EHA07264  
EHA07265  
Type  
Marking  
Pin Configuration  
Package  
BCR129  
WVs  
WVs  
WV  
WVs  
WVs  
WVs  
WV  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT363  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
SOT23  
TSFP-3  
TSLP-3-4  
BCR129F  
BCR129L3  
BCR129S  
BCR129T  
BCR129W  
SEMH4  
-
-
-
-
-
-
SC75  
SOT323  
1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT666  
May-17-2004  
1

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