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BCR12

更新时间： 2024-02-17 16:04:22
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 局域网
页数 文件大小 规格书
5页 94K
描述
MEDIUM POWER USE NON-INSULATED TYPE, PLANAR PASSIVATION TYPE

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BCR12 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220F
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.81其他特性：UL RECOGNIZED
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
换向电压的临界上升率-最小值：10 V/us最大直流栅极触发电流：20 mA
最大直流栅极触发电压：1.5 VJESD-30 代码：R-PSFM-T3
最大漏电流：2 mA元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：12 A
断态重复峰值电压：600 V子类别：TRIACs
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE触发设备类型：TRIAC
Base Number Matches：1

BCR12 数据手册

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MITSUBISHI SEMICONDUCTOR TRIAC  
BCR12CM  
MEDIUM POWER USE  
NON-INSULATED TYPE, PLANAR PASSIVATION TYPE  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Limits  
Symbol  
Parameter  
Test conditions  
Unit  
Min.  
—
Typ.  
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
Max.  
2.0  
1.6  
1.5  
1.5  
1.5  
mA  
V
IDRM  
Repetitive peak off-state current  
On-state voltage  
Tj=125°C, VDRM applied  
VTM  
Tc=25°C, ITM=20A, Instantaneous measurement  
—
!
@
#
!
@
#
—
VFGT !  
VRGT !  
VRGT #  
IFGT !  
IRGT !  
IRGT #  
VGD  
V
✽2  
—
V
Gate trigger voltage  
Tj=25°C, VD=6V, RL=6Ω, RG=330Ω  
—
V
✽5  
—
30  
30  
30  
—
mA  
mA  
mA  
V
✽5  
✽5  
✽2  
—
Gate trigger current  
Tj=25°C, VD=6V, RL=6Ω, RG=330Ω  
Tj=125°C, VD=1/2VDRM  
—
0.2  
—
Gate non-trigger voltage  
Thermal resistance  
✽4  
1.8  
°C/W  
Rth (j-c)  
Junction to case  
Critical-rate of rise of off-state  
commutating voltage  
✽3  
—
—
V/µs  
(dv/dt)c  
✽2. Measurement using the gate trigger characteristics measurement circuit.  
✽3. The critical-rate of rise of the off-state commutating voltage is shown in the table below.  
✽4. The contact thermal resistance Rth (c-f) in case of greasing is 1.0°C/W.  
✽5. High sensitivity (IGT≤20mA) is also available. (IGT item 1)  
(dv/dt) c  
Voltage  
class  
VDRM  
(V)  
Commutating voltage and current waveforms  
(inductive load)  
Test conditions  
Symbol  
Min.  
—
Unit  
R
SUPPLY  
1. Junction temperature  
VOLTAGE  
TIME  
8
400  
600  
Tj=125°C  
L
R
L
10  
—
10  
2. Rate of decay of on-state commutat-  
ing current  
(di/dt)c=–6A/ms  
(di/dt)c  
MAIN CURRENT  
V/µs  
TIME  
TIME  
MAIN  
VOLTAGE  
3. Peak off-state voltage  
VD=400V  
12  
(dv/dt)c  
VD  
PERFORMANCE CURVES  
MAXIMUM ON-STATE CHARACTERISTICS  
RATED SURGE ON-STATE CURRENT  
102  
200  
180  
160  
140  
120  
100  
80  
7
5
3
2
Tj = 125°C  
101  
7
5
3
2
Tj = 25°C  
100  
7
5
3
2
60  
40  
20  
10–1  
0
0.6 1.0 1.4 1.8 2.2 2.6 3.0 3.4 3.8  
100  
2
3 4 5 7 101  
2
3 4 5 7 102  
ON-STATE VOLTAGE (V)  
CONDUCTION TIME  
(CYCLES AT 60Hz)  
Feb.1999  
12345

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