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BCR10PN

更新时间： 2024-01-05 03:15:42

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英飞凌 - INFINEON		开关驱动
页数	文件大小	规格书
5页	67K
描述
NPN/PNP Silicon Digital Tansistor Array (Switching circuit, inverter, interface circuit, drive circuit)

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BCR10PN 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.42	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	2
端子数量：	6	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN AND PNP
功耗环境最大值：	0.25 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	130 MHz
VCEsat-Max：	0.3 V	Base Number Matches：	1

BCR10PN 数据手册

BCR 10PN

Electrical Characteristics at T =25°C, unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Values

typ.

Unit

min.

max.

DC Characteristics

Collector-emitter breakdown voltage

(BR)CEO

(BR)CBO

CBO

I = 100 µA, I = 0

Collector-base breakdown voltage

I = 10 µA, I = 0

Collector cutoff current

= 40 V, I = 0

100

0.75

Emitter cutoff current

= 10 V, I = 0

EBO

DC current gain

I = 5 mA, V = 5 V

Collector-emitter saturation voltage 1)

I = 10 mA, I = 0.5 mA

CEsat

i(off)

0.3

1.5

Input off voltage

I = 100 µA, V = 5 V

0.8

Input on Voltage

I = 2 mA, V = 0.3 V

i(on)

2.5

Ω

Input resistor

Resistor ratio

R /R

0.9

1.1

AC Characteristics for NPN Type

Transition frequency

MHz

I = 10 mA, V = 5 V, f = 100 MHz

130

Collector-base capacitance

= 10 V, f = 1 MHz

1) Pulse test: t < 300µs; D < 2%

Semiconductor Group

Nov-26-1996

123 4 5

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