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BCP6925E6327HTSA1 PDF预览

BCP6925E6327HTSA1

更新时间： 2024-09-25 14:48:51
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 518K
描述
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4

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BCP6925E6327HTSA1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：ROHS COMPLIANT PACKAGE-4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.26
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：20 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：160JESD-30 代码：R-PDSO-G4
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

BCP6925E6327HTSA1 数据手册

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BCP69-25  
PNP Silicon AF Transistor  
• For general AF applications  
• High collector current  
• High current gain  
4
3
2
1
• Low collector-emitter saturation voltage  
• Complementary type: BCP68 (NPN)  
• Pb-free (RoHS compliant) package  
• Qualified according AEC Q101  
Type  
Marking  
Pin Configuration  
Package  
BCP69-25  
...-25*  
1=B 2=C 3=E 4=C  
-
-
SOT223  
* Marking is the same as type-name  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Value  
20  
25  
25  
5
Unit  
V
Collector-emitter voltage  
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
V
V
CEO  
CES  
CBO  
EBO  
1
A
I
C
2
Peak collector current, t ≤ 10 ms  
I
p
CM  
100  
200  
3
mA  
W
Base current  
Peak base current  
Total power dissipation-  
I
B
I
BM  
P
tot  
T ≤ 114 °C  
S
150  
-65 ... 150  
°C  
Junction temperature  
Storage temperature  
T
j
T
stg  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction - soldering point  
Symbol  
Value  
≤ 12  
Unit  
K/W  
1)  
R
thJS  
1
2011-09-19  
123456

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BCP6925E6327HTSA1 替代型号

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