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BCP69E6327

更新时间: 2024-02-10 06:02:27
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英飞凌 - INFINEON 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 104K
描述
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin

BCP69E6327 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.02外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):1 A集电极-发射极最大电压:20 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):85
JESD-30 代码:R-PSSO-G3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:PNP认证状态:COMMERCIAL
表面贴装:YES端子面层:NOT SPECIFIED
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHzBase Number Matches:1

BCP69E6327 数据手册

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