是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.6 |
Is Samacsys: | N | 外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 1 A | 集电极-发射极最大电压: | 80 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 40 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G4 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 4 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型: | NPN | 参考标准: | AEC-Q101; IEC-60134 |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 180 MHz | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BCP56/S62Z | TI |
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1.5A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR | |
BCP56/T1 | ETC |
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TRANSISTOR SMD SOT 223 LEISTUNG | |
BCP5610 | DIODES |
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NPN, 80V, 1A, SOT223 | |
BCP56-10 | ZETEX |
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NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR | |
BCP56-10 | TYSEMI |
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High collector current 1.3 W power dissipation. emitter-base voltage VEBO 5 V | |
BCP56-10 | NXP |
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NPN medium power transistors | |
BCP56-10 | INFINEON |
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NPN Silicon AF Transistors (For AF driver and output stages High collector current) | |
BCP56-10 | NEXPERIA |
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80 V, 1 A NPN medium power transistorsProduction | |
BCP56-10,115 | NXP |
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80 V, 1 A NPN medium power transistor SC-73 4-Pin | |
BCP56-10,135 | ETC |
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TRANS NPN 80V 1A SOT223 |