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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 1.68 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 63 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BCP56-10,115 | NXP |
功能相似  |
80 V, 1 A NPN medium power transistor SC-73 4-Pin |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCP56-10TA | ZETEX |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| BCP56-10-TAPE-13 | NXP |
获取价格 |
1A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
|
| BCP56-10-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
1A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
|
| BCP56-10TC | DIODES |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
|
| BCP56-10TF | ETC |
获取价格 |
BCP56-10T/SOT223/SC-73 |
|
| BCP56-10-TP | MCC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, |
|
| BCP56-10-TP-HF | MCC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, |
|
| BCP56-10T-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
80 V, 1 A NPN medium power transistorsProduction |
|
| BCP56-10TX | ETC |
获取价格 |
TRANS NPN 80V 1A SOT223 |
|
| BCP5616 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Low power NPN Transistor |
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