是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOT-223 |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.36 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | TR, 7 INCH; 1000 | 外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 1 A | 集电极-发射极最大电压: | 80 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 100 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G4 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 4 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | NPN | 最大功率耗散 (Abs): | 2 W |
认证状态: | Not Qualified | 参考标准: | AEC-Q101 |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 100 MHz | VCEsat-Max: | 0.5 V |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
BCP56-10E6327 | INFINEON |
完全替代 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | |
BCP56-10E6433 | INFINEON |
完全替代 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | |
BCP56-16E6327 | INFINEON |
完全替代 |
For AF driver and output stages |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BCP56-16,115 | NXP |
获取价格 |
80 V, 1 A NPN medium power transistor SC-73 4-Pin | |
BCP56-16,135 | ETC |
获取价格 |
TRANS NPN 80V 1A SOT223 | |
BCP56-16/T1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR MEDIUM POWER | |
BCP56-16-AU | PANJIT |
获取价格 |
SOT-223 | |
BCP56-16-C | SECOS |
获取价格 |
NPN Silicon Medium Power Transistor | |
BCP56-16E6327 | INFINEON |
获取价格 |
For AF driver and output stages | |
BCP5616E6327HTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, | |
BCP56-16E6433 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | |
BCP56-16H | NEXPERIA |
获取价格 |
80 V, 1 A NPN medium power transistors | |
BCP5616H6327XTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, GREEN, PL |