5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> BCP56-10T1G
BCP56-10T1G PDF预览

BCP56-10T1G

更新时间： 2024-11-23 12:29:43
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管光电二极管放大器PC
页数 文件大小 规格书
5页 161K
描述
NPN Silicon Epitaxial Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

BCP56-10T1G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
零件包装代码：TO-261AA包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318E-04, TO-261, 4 PIN
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：1 week
风险等级：0.35Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：224498
Samacsys Pin Count：4Samacsys Part Category：Transistor
Samacsys Package Category：SOT223 (3-Pin)Samacsys Footprint Name：SOT-223 TP-261 CASE 318E-04
Samacsys Released Date：2015-07-24 09:28:59Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：63JEDEC-95代码：TO-261AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：1.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：130 MHzBase Number Matches：1

BCP56-10T1G 数据手册

 浏览型号BCP56-10T1G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BCP56-10T1G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BCP56-10T1G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BCP56-10T1G的Datasheet PDF文件第5页 
BCP56 Series,  
SBCP56 Series  
NPN Silicon  
Epitaxial Transistor  
These NPN Silicon Epitaxial transistors are designed for use in  
audio amplifier applications. The device is housed in the SOT−223  
package, which is designed for medium power surface mount  
applications.  
http://onsemi.com  
MEDIUM POWER NPN SILICON  
HIGH CURRENT TRANSISTOR  
SURFACE MOUNT  
Features  
• High Current: 1.0 A  
• The SOT−223 package can be soldered using wave or reflow. The  
formed leads absorb thermal stress during soldering, eliminating the  
possibility of damage to the die  
COLLECTOR 2,4  
• Available in 12 mm Tape and Reel  
Use BCP56T1 to Order the 7 inch/1000 Unit Reel  
Use BCP56T3 to Order the 13 inch/4000 Unit Reel  
• PNP Complement is BCP53T1  
BASE  
1
EMITTER 3  
4
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable  
• S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique  
Site and Control Change Requirements  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
1
2
3
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Rating  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
Collector Current  
Symbol  
Value  
80  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
SOT−223  
CASE 318E  
STYLE 1  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
100  
5
MARKING DIAGRAM  
I
C
1
Total Power Dissipation  
P
D
@ T = 25°C (Note 1)  
Derate above 25°C  
1.5  
12  
W
mW/°C  
A
AYW  
xxxxxG  
G
Operating and Storage  
Temperature Range  
T , T  
−65 to 150  
°C  
J
stg  
1
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
xx  
A
Y
W
G
= Specific Device Code  
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
= Pb−Free Package  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient  
(surface mounted)  
R
83.3  
°C/W  
q
JA  
Maximum Temperature for  
Soldering Purposes  
Time in Solder Bath  
T
L
(Note: Microdot may be in either location)  
260  
10  
°C  
Sec  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
1. Device mounted on a FR−4 glass epoxy printed circuit board 1.575 in x  
1.575 in x 0.0625 in; mounting pad for the collector lead = 0.93 sq in.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2011  
1
Publication Order Number:  
November, 2011 − Rev. 8  
BCP56T1/D  
 
12345

中文翻译

下载PDF

BCP56-10T1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BCP56-16T3 ONSEMI

完全替代

 NPN Silicon Epitaxial Transistor
BCP56T1G ONSEMI

类似代替

 NPN Silicon Epitaxial Transistor
BCP56-16T3G ONSEMI

类似代替

 NPN Silicon Epitaxial Transistor

与BCP56-10T1G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BCP56-10T3G ONSEMI

获取价格

 		1.0 A, 80 V NPN Bipolar Junction Transistor
BCP5610TA DIODES

获取价格

 		NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT223
BCP56-10TA ZETEX

获取价格

 		暂无描述
BCP56-10-TAPE-13 NXP

获取价格

 		1A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
BCP56-10-TAPE-7 NXP

获取价格

 		1A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
BCP56-10TC DIODES

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
BCP56-10TF ETC

获取价格

 		BCP56-10T/SOT223/SC-73
BCP56-10-TP MCC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor,
BCP56-10-TP-HF MCC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor,
BCP56-10T-Q NEXPERIA

获取价格

 		80 V, 1 A NPN medium power transistorsProduction

与BCP56-10T1G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证