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BCP56 PDF预览

BCP56

更新时间： 2024-10-03 08:50:15
品牌 Logo 应用领域
SECOS 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 165K
描述
NPN Silicon Medium Power Transistor

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BCP56 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.57
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JESD-30 代码：R-PDSO-G4元件数量：1
端子数量：4封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

BCP56 数据手册

 浏览型号BCP56的Datasheet PDF文件第2页 
BCP56  
1A , 100V  
NPN Silicon Medium Power Transistor  
Elektronische Bauelemente  
RoHS Compliant Product  
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free  
FEATURES  
SOT-223  
For AF driver and output stages  
High collector current  
Low collector-emitter saturation voltage  
Complementary types: BCP53 (PNP)  
A
M
4
Top View  
C B  
CLASSIFICATION OF hFE(2)  
1
2
BCP56-16  
Product-Rank  
Range  
3
K
F
L
E
100~250  
D
G
H
J
PACKAGE INFORMATION  
Package  
MPQ  
Leader Size  
Millimeter  
Min. Max.  
Millimeter  
REF.  
REF.  
Min.  
-
-
0.25  
-
Max.  
0.10  
-
0.35  
-
SOT-223  
2.5K  
13’ inch  
A
B
C
D
E
F
6.20  
6.70  
3.30  
1.42  
4.50  
0.60  
6.70  
7.30  
3.70  
1.90  
4.70  
0.82  
G
H
J
K
L
2.30 REF.  
M
2.90  
3.10  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Ratings  
Unit  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current -Continuous  
Collector Power Dissipation  
Storage Temperature  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
PD  
TSTG  
100  
80  
5
1
1.5  
V
V
V
A
W
°C  
-65~+150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
100  
80  
Max.  
Unit  
V
V
V
nA  
Test Conditions  
IC=0.1mA , IE=0  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cut-off current  
IC= 1mA, IB=0  
IE= 10μA, IC=0  
VCB= 30V, IE=0  
VCE= 2V, IC= 5mA  
VCE= 2V, IC= 150mA  
VCE= 2V, IC= 500mA  
IC=500mA, IB= 50mA  
VCE= 2V, IC= 500mA  
VCE= 5V, IC= 10mA  
5
100  
250  
h
(1)  
FE  
63  
63  
40  
DC current gain1  
h
(2)  
FE  
h
(3)  
FE  
Collector-emitter saturation voltage1  
Base-emitter voltage1  
Transition frequency  
Note:  
VCE(sat)  
VBE(on)  
f T  
0.5  
1
V
V
MHz  
100  
1. Pulse Test: Pulse Width≦380us, Duty Cycle≦2%.  
http://www.SeCoSGmbH.com/  
Any changes of specification will not be informed individually.  
12-May-2011 Rev. D  
Page 1 of 2  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BCP56/S62Z TI

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 		1.5A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
BCP56/T1 ETC

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 		TRANSISTOR SMD SOT 223 LEISTUNG
BCP5610 DIODES

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 		TRANS NPN 80V 1A SOT223

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