是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | SC-73 |
包装说明: | PLASTIC, SC-73, 4 PIN | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | compliant | HTS代码: | 8541.29.00.75 |
风险等级: | 3.55 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 1 A |
集电极-发射极最大电压: | 60 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 100 | JESD-30 代码: | R-PDSO-G4 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 4 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | NPN |
功耗环境最大值: | 1.5 W | 最大功率耗散 (Abs): | 1.5 W |
认证状态: | Not Qualified | 参考标准: | IEC 60134 |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 130 MHz | 最大关闭时间(toff): | -888 ns |
最大开启时间(吨): | -888 ns | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
BCP55-10 | NEXPERIA |
类似代替 |
60 V, 1 A NPN medium power transistorsProduction | |
BCP55 | NEXPERIA |
类似代替 |
60 V, 1 A NPN medium power transistorsProduction | |
BCP55E6327 | INFINEON |
类似代替 |
NPN Silicon AF Transistors |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BCP55-16,115 | ETC |
获取价格 |
TRANS NPN 60V 1A SOT-223 | |
BCP55-16,135 | NXP |
获取价格 |
1A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR | |
BCP55-16-C | SECOS |
获取价格 |
NPN Silicon Medium Power Transistor | |
BCP55-16E6327 | INFINEON |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin | |
BCP5516E6327HTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, | |
BCP55-16E6433 | INFINEON |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 | |
BCP55-16F | ETC |
获取价格 |
TRANS NPN 60V 1A TO261-4 | |
BCP55-16H6327TR | INFINEON |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 | |
BCP5516H6327XTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, SOT223, 4 PIN | |
BCP55-16-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
60 V, 1 A NPN medium power transistorsProduction |