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BCP55-10TA

更新时间： 2024-01-11 19:15:37

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美台 - DIODES		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	294K
描述
1A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR

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BCP55-10TA 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：	unknown	Factory Lead Time：	15 weeks
风险等级：	5.08	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	63	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

BCP55-10TA 数据手册

BCP 54/ 55/ 56

Absolute Maximum Ratings (@T_A= +25°C, unless otherwise specified.)

Characteristic

Collector-Base Voltage

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

BCP54

BCP55

BCP56

100

Unit

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Continuous Collector Current

Peak Pulse Collector Current

Continuous Base Current

Peak Pulse Base Current

I_CM

100

200

I_B

I_BM

Thermal Characteristics (@T_A= +25°C, unless otherwise specified.)

Characteristic

Symbol

Value

Unit

Power Dissipation

(Note 6)

(Note 7)

P_D

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Thermal Resistance, Junction to Leads

Operating and Storage Temperature Range

R_θJA

R_θJL

°C/W

°C/W

°C

19.4

-65 to +150

T_J,T_STG

ESD Ratings (Note 8)

Characteristic

Electrostatic Discharge - Human Body Model

Electrostatic Discharge - Machine Model

Symbol

ESD HBM

ESD MM

Value

4,000

400

Unit

JEDEC Class

Notes:

6. For a device mounted with the collector lead on 50mm x 50mm 1oz copper that is on a single-sided 1.6mm FR4 PCB; device is measured under still air

conditions whilst operating in steady-state.

7. Thermal resistance from junction to solder-point (at the end of the collector lead).

8. Refer to JEDEC specification JESD22-A114 and JESD22-A115.

2 of 7

www.diodes.com

March 2014

BCP 54 / 55 / 56

Datasheet Number: DS35367 Rev. 4 - 2

123 4 5 6 7

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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