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BCP54M

更新时间： 2024-11-26 22:48:15

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管驱动
页数	文件大小	规格书
4页	35K
描述
NPN Silicon AF Transistors (For AF driver and output stages High collector current)

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BCP54M 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SCT595, 5 PIN	针数：	5
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.38	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	25
JESD-30 代码：	R-PDSO-G5	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	5
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

BCP54M 数据手册

BCP 54M ... BCP 56M

NPN Silicon AF Transistors

• For AF driver and output stages

• High collector current

• Low collector-emitter saturation voltage

• Complementary types: BCP 51M...BCP 53M(PNP)

VPW05980

Type

Marking Ordering Code Pin Configuration

Package

BCP 54M BAs

BCP 55M BEs

BCP 56M BHs

Q62702-C2595 1 = B 2 = C 3 = E 4 n.c. 5 = C SCT-595

Q62702-C2606

Q62702-C2607

Maximum Ratings

Parameter

Symbol BCP 54M BCP 55M BCP 56M Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

DC collector current

Peak collector current

Base current

100

CEO

CBO

EBO

1.5

100

200

1.7

Peak base current

Total power dissipation, T ≤ 77 °C

tot

Junction temperature

Storage temperature

150

-65...+150

°C

stg

Thermal Resistance

Junction ambient

K/W

≤98

≤43

thJA

thJS

Junction - soldering point

1) Package mounted on pcb 40mm x 40mm x 1.5mm / 6cm Cu

Semiconductor Group

Au -11-1998

1998-11-01

Semiconductor Group

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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