BCP55

更新时间： 2024-02-02 01:07:42

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体放大器晶体管功率双极晶体管开关功率放大器光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	74K
描述
MEDIUM POWER AMPLIFIER

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BCP55 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.1	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	130 MHz	VCEsat-Max：	0.5 V
Base Number Matches：	1

BCP55 数据手册

BCP55/56

MEDIUM POWER AMPLIFIER

ADVANCE DATA

■

SILICON EPITAXIAL PLANAR NPN

TRANSISTORS

MINIATURE PLASTIC PACKAGE FOR

APPLICATION IN SURFACE MOUNTING

CIRCUITS

■

GENERAL PURPOSE MAINLY INTENDED

FOR USE IN MEDIUM POWER INDUSTRIAL

APPLICATION AND FOR AUDIO AMPLIFIER

OUTPUT STAGE

PNP COMPLEMENTS ARE BCP52 AND

BCP53 RESPECTIVELY

SOT-223

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Parameter

Value

Unit

BCP55

BCP56

100

V_CBO

V_CEO

V_CER

V_EBO

I_C

Collector-Base Voltage (I_E= 0)

Collector-Emitter Voltage (I_B= 0)

Collector-Emitter Voltage (R_BE= 1KΩ)

Emitter-Base Voltage (I_C= 0)

Collector Current

100

1.5

I_CM

Collector Peak Current (t_p< 5 ms)

Base Current

I_B

0.1

I_BM

Base Peak Current (t_p< ms)

0.2

P_tot

T_stg

T_j

Total Dissipation at T_c= 25 C

^oC

Storage Temperature

-65 to 150

150

Max. Operating Junction Temperature

1/4

October 1997

12 3 4

下载PDF

与BCP55相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BCP55,115	NXP	60 V, 1 A NPN medium power transistor SC-73 4-Pin	获取价格
BCP55,135	NXP	60 V, 1 A NPN medium power transistor SC-73 4-Pin	获取价格
BCP5510	DIODES	NPN, 60V, 1A, SOT223	获取价格
BCP55-10	NXP	NPN medium power transistors	获取价格
BCP55-10	INFINEON	NPN Silicon AF Transistors (For AF driver and output stages High collector current)	获取价格
BCP55-10	TYSEMI	High collector current 1.3 W power dissipation. emitter-base voltage VEBO 5 V	获取价格