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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SOT-223, 4 PIN |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.83 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 基于收集器的最大容量： | 25 pF | 集电极-发射极最大电压： | 45 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 参考标准： | AEC-Q101 |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz | VCEsat-Max： | 0.5 V |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| DCP51-16-13 | DIODES |
类似代替  |
PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCP51-16TA | DIODES |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
|
| BCP51-16-TAPE-13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 45 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| BCP51-16-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 45 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| BCP5116TC | DIODES |
获取价格 |
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT223 |
|
| BCP51-16TC | DIODES |
获取价格 |
1A, 45V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
|
| BCP51-16-TP | MCC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, |
|
| BCP51-16-TP-HF | MCC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, |
|
| BCP51-6 | ETC |
获取价格 |
|
|
| BCP51-BCP53 | INFINEON |
获取价格 |
PNP Silicon AF Transistors (For AF driver and output stages High collector current) |
|
| BCP51-C | SECOS |
获取价格 |
PNP Plastic Encapsulate Transistor |
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